之前我们就说过,预计三星很快就会公布量产3nm芯片。而在近日,三星也的确如大家所料一般,正式宣布采用GAA技术的3nm工艺开始量产。可以看出来在客户频频流失至台积电,同时三星4nm之前又爆出良率低下的新闻后,三星的确想在芯片代工这部分扳回一城,比台积电提早很久就宣布3nm量产,也可以看出三星现在焦急的心态。
很显然三星积极争抢芯片代工市场,纯粹是为了弯道超车台积电,所以才决定在3nm工艺上抢先采用环绕闸极(GAA)架构,并赶在台积电3nm下半年量产前,于上半年的最后一天宣布3nm GAA技术量产。虽然三星现在并没有什么先进工艺的大客户,但是此举也是希望能在大家心中留下一个好印象,以争取到未来的订单。
韩国本地的行业的态度倒是对三星芯片代工业务感到乐观。韩国方面表示三星3nm制程进展还是对业界有很正面的影响,而且一些业内人士已经开始给三星背书,表示三星3nm制程良率提升速度远高于市场预期,新增客户速度相当快。据说中国挖矿机芯片设计业者上海磐矽半导体是三星3nm制程的客户,此外高通也已预定三星3nm的产能,不过高通显然是想两边下注,订单要看情况来定,如果三星3nm表现不好的话,会立马转投台积电。
但也有不少业内人士有不同看法,一些专家认为ASML为的高数值孔径极紫外光(high-NA EUV)光刻机,预计是在2023年完成并用于研发,所以推测三星3nm GAA技术量产并非采用最先进的光刻机。而Intel和台积电都表示在2023年会采用ASML最高端的光刻机,而现在三星就量产了3nm GAA工艺,那么只可能是EUV光刻机了。
另外GAA技术相关的蚀刻及量测问题尚待克服,材料、化学品等也需要提升,所以很多专家都认为全球GAA生态系统还未完全到位,三星3nm GAA技术此时量产是赶鸭子上架。尽管三星采用现有光刻机和技术,也可以做到3nm GAA工艺的量产,但关键是成本会增加、交期会拉长、良率提升速度慢、品质不见得好。在成本模型难以建立的情况下,三星难以对客户报价,所以很多人都预测三星的3nm GAA技术目前只有三星自己使用,不会有其他大客户。
一些业内人士也表示三星没有接到任何3nm芯片的订单,所以即使是宣布量产3nm制程,宣传意义大于实质意义。不过三星向来惯用低价策略吸引客户,报价便宜或许可能争取到国内矿机公司上海磐矽半导体订单,不过散热问题是三星的痛点,高通订单就因此回流台积电;三星3nm GAA制程能否解决漏电、散热问题则有待观察。
当然现在行业内都更认同台积电在先进制程发展的模式,台积电3nm今年下半年量产,搭配新的FINFLEX架构,提供芯片设计多样化选择,包括支持超高效能、最佳功耗效率与电晶体密度及平衡两者的高效效能。而台积电将于2024年取得high-NA EUV光刻机,推动创新的需求。至于台积电的GAA技术,则要等到2nm工艺的时候才会引入,时间大概是在2025年,届时GAA的生态系统也该趋于完善,远远要比现在三星抢着上马更科学。
另外相比三星3nm工艺无人问津,台积电3nm工艺已掌握苹果、英特尔及其他重量级客户订单,显然客户对台积电的3nm工艺良率、产能都更有信心。所以三星想要追上台积电,远远不是官宣3nm GAA量产就能搞定的。
版权声明:内容来源于互联网和用户投稿 如有侵权请联系删除