纵观全球芯片制造企业,台积电无疑是技术最先进、经验最丰富的那一个,而造成这种情况出现的主要原因,就是台积电拥有超过80台EUV光刻机,这一优势也是三星和英特尔不能比拟的。
要知道,全球仅有ASML一家企业可以量产EUV光刻机。根据公开的数据显示,截止到2021年,ASML一共才生产了142台EUV光刻机。由此我们不难看出,ASML和台积电是相辅相成的关系。
当然,它们之间也有很多相同的地方。比如ASML和台积电的大股东都是美国公司,生产线上都包含了很多美技术和零部件。也正是因为如此,在芯片规则被修改后,两者自由出货都遇到了麻烦。
尤其是台积电,在失去华为的芯片订单的同时,也失去了最重要的议价权,此前苹果拒绝台积电2023年涨价要求就是最好的证明。
原本以为台积电为了自由出货,会建设更多的“去美化”芯片生产线,但让人大跌眼镜的是,刘德音却公开表示,暂时不考虑建设非美技术生产线,台积电追求的是技术领先。
除此之外,在今年9月,刘德音还曾表示,如今半导体技术创新的关键,就是追求更极致的能效。他甚至还认为,半导体行业可以帮助解决世界面临的能源挑战。
按照刘德音的说法,台积电未来的发展方向就是研发3nm、2nm等更先进制程的芯片。而事实证明,台积电一味追求高性能芯片,只会让成本进一步飙升,并不会解决世界面临的能源挑战问题。
因为就在前不久,ASML首席技术官称,公司将在2023年向客户交付首台High-NA EUV光刻机,而High-NA将是最后一个NA,当前半导体光刻技术之路或已经走到了尽头。
那么问题来了,光刻机中的NA到底代表了什么?据了解,NA是光学镜头的一个重要指标,业内称之为数值孔径。简而言之,NA的大小可以决定光刻机能够达到的最高工艺节点。
现有的EUV光刻机系统可以提供0.33数值孔径透镜,而下一代High-NA EUV光刻机系统提供的这个数值是0.55。从精度上来看,后者确实比前者有所提高,但有一个非常严重的问题,那就是后者比前者更耗电,从1.5兆瓦增加到了2兆瓦。
要知道,一台EUV光刻机一天就要消耗3万度电。按照这个计算,High-NA EUV光刻机一台就需要耗4万度电。这对于台积电等芯片代工企业来说,确实不是一个好消息。
也就是说,如果ASML想要研发出比High-NA EUV光刻机精度更高的光刻机,那么就必须要解决环保、经济成本的问题。而事实上,ASML很难解决这个问题,要不然也不会说High-NA将是最后一个NA。
最主要的是,一台High-NA EUV光刻机的价格高达3亿美元,大约是现有EUV光刻机的三倍。再加上光刻胶等关键材料的价格持续上涨,以及耗电成本。这也意味着台积电的代工成本将再一次提升。
试问一下,在高性能芯片产能过剩的情况下,高通、苹果、英伟达等芯片巨头愿意为台积电埋单吗?答案显而易见,不会。
也正是因为如此,才说ASML宣布重要消息,刘德音也没有料到,“打脸”这么快就来了。对此,你们怎么看?欢迎大家留言点赞分享。
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