华为“换道超车”，“无光刻机芯片”成为现实，外媒：拦不住了

一直高悬在高“芯”科技头上的达摩克里斯之剑，终于有了松动的势头。

华为当年在芯片技术受阻之后，便以最快速度另辟蹊径布局了3D芯片堆叠工艺以及光量子芯片领域，力求避开电子芯片的封锁，实现“换道超车”。而目前取得的初步成就，连《纽约时报》都曾评论：如果美国还不行动，五年内将无法追上中国。

华为失去5G芯和麒麟芯和苹果硬碰硬，属实有些勉强，毕竟这两者状态无异于是残血对满血。所幸华为抢先投入的堆叠工艺已经可以实现了将多个芯片进行堆叠，让性能达到原先制程无法达到的高度。比如两颗14nm芯片进行堆叠，可以使芯片的性能达到7nm工艺水平，这一技术的突破，让我们即使没有EUV光刻机，也能生产出7nm芯片。

当然，除了堆叠工艺之外，华为在光量子芯片的布局也是让人拍手称快，其远见也让无数网友惊呼：换道超车指日可待。有数据证明，光量子芯片在传输效率和功耗都有更大的潜力，能够做到在不依赖EUV光刻机之下也能拥有高端芯片，无疑是当下最适合国内的发展路线。

前段时间，中科院传来的好消息，给了华为更大的底气。据媒体报道，郭光灿教授所带领的团队，在集成光子芯片量子器件的研究中取得重要进展：由邹长铃、李明负责带队的研究组观测到高效率的合成高阶非线性过程，首次实现在拓扑保护光子晶体芯片中实现量子干涉。相关成果也在10月20日发表于国际学术期刊《自然·通讯》上。

除此之外，合肥本源量子企业先后推出的本源6比特超导量子芯片和24比特超导量子芯片，各项性能也都属于国际一流水平。

由此可见，欧美全力制裁的电子芯片已经不再是国内高“芯”巨头们的唯一选择，我们也并非是沿着电子芯片原有的发展路径去突破14nm、7nm、5nm。反倒是转变思路，在材料上实现由“电”到“光”的转换，绕过光刻机的壁垒。

从目前的发展来看，这一种新的技术路线，也使得我国光量子芯片往前迈进一大步。当然，我国除了在电子芯片突飞猛进之时，生命科学赛道也取得了重大进展。看来，饱受高铁、芯片之苦的国人，对制裁“噩梦”的反攻已经出现在了各个领域。而国内首条光子芯片生产线也预计将在2023年于京落地建成，这一生产线的开通也将会对我国在光子芯片晶圆代工领域起到填补空白作用。

华为当年的布局除了光量子芯片之外，还有石墨烯芯片、Chiplet技术也是B、C计划，多条路研发才不至于被电子芯片“卡死”。只要光量子芯片这条路可行，那也就意味着光刻机的难题已经可以绕过去了，毕竟中国现有的设备就足可以生产光子芯片。

眼看华为实现诸多突破，老美的一味压制却反倒促进了光量子芯片的诞生，不少外媒见此也开始泼冷水，认为“换道”是不可能实现的。但在泼冷水的同时，老美却提出要求将光量子芯片技术共享，一起为产业造福。这不禁让人疑惑，既然“不可能成功”，又为何要我们共享？

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