一直高悬在高“芯”科技头上的 91 达摩克里斯之剑，终于有了 53 松动的 122 势头。
华为当年在芯片技术受阻之后，便以最快速度另辟蹊径布局了 133 3D芯片堆叠工艺以及光量子芯片领域，力求避开电子芯片的 155 封锁，实现“换道超车”。而目前取得的 147 初步成就，连《纽约时报》都曾评论：如果美国还不行动，五年内将无法追上中国。
华为失去5G芯和麒麟芯和苹果硬碰硬，属实有些勉强，毕竟这两者状态无异于是 45 残血对满血。所幸华为抢先投入的 24 堆叠工艺已经可以实现了 207 将多个芯片进行堆叠，让性能达到原先制程无法达到的 114 高度。比如两颗14nm芯片进行堆叠，可以使芯片的 179 性能达到7nm工艺水平，这一技术的 42 突破，让我 231 们即使没有EUV光刻机，也能生产出7nm芯片。
当然，除了 113 堆叠工艺之外，华为在光量子芯片的 158 布局也是 223 让人拍手称快，其远见也让无数网友惊呼：换道超车指日可待。有数据证明，光量子芯片在传输效率和功耗都有更大的 65 潜力，能够做到在不依赖EUV光刻机之下也能拥有高端芯片，无疑是 162 当下最适合国内的 17 发展路线。
前段时间，中科院传来的 69 好消息，给了 54 华为更大的 239 底气。据媒体报道，郭光灿教授所带领的 38 团队，在集成光子芯片量子器件的 199 研究中取得重要进展：由邹长铃、李明负责带队的 152 研究组观测到高效率的 59 合成高阶非线性过程，首次实现在拓扑保护光子晶体芯片中实现量子干涉。相关成果也在10月20日发表于国际学术期刊《自然·通讯》上。
除此之外，合肥本源量子企业先后推出的 192 本源6比特超导量子芯片和24比特超导量子芯片，各项性能也都属于国际一流水平。
由此可见，欧美全力制裁的 23 电子芯片已经不再是 143 国内高“芯”巨头们的 76 唯一选择，我 237 们也并非是 153 沿着电子芯片原有的 233 发展路径去突破14nm、7nm、5nm。反倒是 65 转变思路，在材料上实现由“电”到“光”的 125 转换，绕过光刻机的 249 壁垒。
从目前的 225 发展来看，这一种新的 109 技术路线，也使得我 256 国光量子芯片往前迈进一大步。当然，我 183 国除了 75 在电子芯片突飞猛进之时，生命科学赛道也取得了 244 重大进展。看来，饱受高铁、芯片之苦的 227 国人，对制裁“噩梦”的 134 反攻已经出现在了 138 各个领域。而国内首条光子芯片生产线也预计将在2023年于京落地建成，这一生产线的 62 开通也将会对我 252 国在光子芯片晶圆代工领域起到填补空白作用。
华为当年的 140 布局除了 136 光量子芯片之外，还有石墨烯芯片、Chiplet技术也是 25 B、C计划，多条路研发才不至于被电子芯片“卡死”。只要光量子芯片这条路可行，那也就意味着光刻机的 170 难题已经可以绕过去了 197 ，毕竟中国现有的 167 设备就足可以生产光子芯片。
眼看华为实现诸多突破，老美的 139 一味压制却反倒促进了 261 光量子芯片的 169 诞生，不少外媒见此也开始泼冷水，认为“换道”是 84 不可能实现的 68 。但在泼冷水的 181 同时，老美却提出要求将光量子芯片技术共享，一起为产业造福。这不禁让人疑惑，既然“不可能成功”，又为何要我 243 们共享？
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