2025年之前超越台积电？三星业务负责人豪言放话，外媒：太天真了

一直以来台积电通过美方的扶持，占据了大部分国际半导体芯片领域的份额，虽说如今受到拜登政府的百般折磨，可依旧掌握先进制程芯片的大权。

可随着如今的发展趋势，台积电在芯片代工市场的优势有着下滑的趋势，三星业务负责人豪言放话，计划在2025年之前超越台积电？外媒对此评论称：太天真了！

不久前，据韩国媒体的报道，三星在电子器件领域的负责人公布了一个消息，得益于ASML提供的NA EUV光刻机，目前已经在2nm先进制程芯片的研发上占据了重要优势。

这位负责人认为基于三星的GAA技术，和投入更多精力在先进制程芯片的研发上，目前在发展趋势上明显领先台积电，将于2025年之前在技术、市场份额双方面超越台积电。

那么这个消息是“吹牛”？还是真的有着“技术底气”？这就不得不从市场数据和各方面因素来推测一下。

首先是市场份额，据2022年的数据统计，台积电占据全球超过60%的订单，是市场上当之无愧的“代工一哥”，虽说失去了华为这个第二大客户，但迎来了更多美企订单的弥补。

反观三星，市场份额仅仅只有16%，同比台积电才刚刚超过26%，等于就只有后者四分之一的订单。

不到三年时间想扩增三倍的订单数量无疑是有点夸下海口了，并且市场是固定的，三星要想得到如此巨量的新增订单，完全就是从台积电手上“虎口夺食”。

并且重点在于，自从市场寒流出现之后，整个韩国芯片产业链的趋势就不太被看好，市场营收下滑超过50%，大量被中国乃至全世界半导体企业砍单。

据韩国媒体报道，截止至2023年3月份，韩企芯片库存率为265.7%，大量堆积要么无法出货，要么没人要，这显然意味着三星在市场竞争上并不具备什么优势。

其次是代工良率，需要提及的是目前芯片代工市场上使用的FET技术，第一代为MOSFET技术，第二代则是FinFET技术，如今最新一代是GAA-FET技术。

一般FET技术的先进水平，将会极大影响芯片量产的良率，按照目前的市场情况来说，三星采用的是第三代GAA-FET技术，已经开始使用在3nm制程水平。

而台积电在3nm工艺上依旧使用FinFET技术，将会在2nm制程芯片领域上投入使用GAA-FET技术。

对比之下，很明显三星基于在3nm制程上已经使用了GAA-FET技术，所以存在着一定程度的经验，但事实上三星的3nm工艺在良率上依旧不如台积电，这无疑证实了两者的差距。

要知道此前高通正是因为三星的4nm、5nm制程芯片良率仅只有35%，而选择放弃与三星的合作，转而将骁龙芯片交由台积电代工。

如今三星即便掌握着GAA-FET技术优势，却依旧无法在良率上战胜台积电，这已经证明了三星电子芯片业务负责人的“吹牛”行为。

此外，虽说三星和台积电在3nm工艺的竞争中，三星以领先半年的优势实现了量产，可良率问题导致高通、苹果、英特尔等半导体巨头并不买单，依旧还是选择了半年后实现量产的台积电。

显然，归根结底所有因素的总和，依旧不是三星占据优势，所以正如外媒评论的，这位三星业务负责人在采访中的豪言，尽显天真的气息。

值得一提的是国产EUV光刻机也在哈工大、中科院、长春光机等国内知名企业、机构的努力下，掌握了符合标准的光源、物镜、双工作台三大核心技术。

相信不久的未来国产EUV光刻机将会面世，加上中芯国际目前已经着手研发5nm制程芯片代工技术，总有一天我们会像盾构机、空间站等领域一样，赶超三星、台积电，达到世界领先水平！那么大家对此怎么看？欢迎评论区留言！