在新一代半导体技术中，美国厂商已经落后于三星和TSMC，英特尔最先进的技术还是10纳米。日前，有报道称，三星正准备在美国建立一家5纳米EUV芯片厂。
据韩国媒体援引业内人士消息，三星电子已决定在美国得克萨斯州奥斯丁设立EUV半导体工厂，以满足日益增长的小芯片需求和美国振兴半导体的计划。
该厂将采用5纳米工艺，计划今年第三季度开工建设，2024年投产，预计成本180亿美元。
工厂在美国的设立也是三星电子首次在韩国以外设立EUV生产线。
业内人士估计，三星将于5月21日正式发布公告。
在此之前，TSMC去年宣布将在美国亚利桑那州建造一家芯片工厂。完工后，它将使用5纳米技术为相关客户制造芯片，计划每月生产2万片晶圆。该厂计划于2021年开工建设，目标是2024年投产。TSMC计划从2021年到2029年在这家工厂投资120亿美元。
根据最新消息，TSMC的管理层目前正在讨论他们在美国的下一家芯片工厂是否会采用更先进的3纳米工艺技术为相关客户制造芯片。
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