他们与华南理工大学共同建立的半导体微显示企业广东重点实验室的最新研究成果发表在国际知名期刊《ACS Nano》上。
据报道，这一成果最终成功突破了量子点LED器件发光效率的瓶颈，创下同类器件最高发光效率的行业新纪录。有望加快这项新技术的商业化进程，巩固国兴光电在微型/微型LED显示器件领域的技术优势。
IT之家了解到，量子点颜色转换技术是Mini/Micro LED、o LED、LCD宽色域显示常见的关键技术，在超清晰显示、虚拟显示等新兴领域具有巨大的应用潜力。
据说常用的硒化镉、钙钛矿等量子点的光致发光效率已经超过85%，高于传统的稀土荧光粉材料。而封装的LED器件发光效率一般在50-130 lm/W(理论效率为200 lm/W)，多年来一直困扰着学术界和工业界。
为此，国兴光电提出了直通孔复合量子点颜色转换结构及其增强发光机理。通过湿式机械搅拌将量子点高效组装在粒径匹配的直通孔结构中，并用低折射率硅树脂填充通孔结构。由此产生的折射率差可以抑制荧光光子在通孔内的硅衬底中的传播，并显著降低再吸收损失。
正因为如此，他们终于成功突破了量子点LED器件发光效率的瓶颈，获得了同类器件最高发光效率超过200 lm/W的行业纪录(由CNAS认证的第三方机构测试)。
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