前沿新闻:三星全球首映3nm电压只有0.23V

科技、数字和网络新闻都成为公众关注的焦点。目前，互联网、科技和数字与我们的生活密切相关。我们应该为自己收取更多的费用，掌握更多的知识，以便掌握更多的信息，不断提高自己的个人能力。边肖今天整理了一篇关于互联网技术数字化方向的文章，希望大家喜欢。

近年来，TSMC在半导体技术上一路骑马，三星是唯一能赶上的，但其技术质量一直受到质疑。

在IEEE ISSCC国际固态电路大会上，三星(确切地说是三星代工厂)首次展示了采用3nm工艺制造的芯片，这是一款容量为256Gb(32GB)的SRAM存储芯片，也是新技术落地传统的第一步。

在三星路线图上，14nm、10nm、7nm、3nm都是新的流程节点，其他都是升级改进的，包括11/8/6/5/4nm等等。

三星将在3nm工艺中首次应用GAAFET(围栅场效应晶体管)技术，再次实现晶体管结构上的突破，与目前的FinFET三维晶体管相比是一个很大的飞跃。

GAAFET技术可以分为两种，一种是常规GAAFET，采用纳米线作为晶体管的鳍，另一种是MBCFET(多桥沟道场效应晶体管)，采用更厚更宽的鳍，称为纳米片。

三星第一个3nm SRAM芯片采用MBCFET，容量256Gb，面积56平方毫米。三星最引以为傲的是超低功耗，写电流只需要0.23V，得益于MBCFET的各种省电技术。

据三星称，与7LPP相比，3GAE工艺可将晶体管密度提高80%，将性能提高30%，或将功耗降低50%。

或许，这将使三星能够更好地控制芯片的功耗和发热，避免所谓的“侧翻”。

三星3nm预计明年量产，但目前还没有公布客户。

在TSMC方面，3nm继续使用FinFET技术，声称与5nm相比，其晶体管密度增加了70%，其性能可以提高11%，或者其功耗可以降低27%。预计今年晚些时候投入试生产，明年量产。客户包括苹果、AMD、英伟达、联发科、Xilinx、博通、高通等。据说连英特尔都在用。