湖南大学展示了小于1纳米的晶体管原型，这为半导体器件的性能改进增加了希望

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湖南大学物理与微电子学院刘源教授利用范德瓦尔斯金属集成法成功演示了超短沟道垂直场效应晶体管的原型器件，最短有效沟道长度可小于1纳米。

据报道，研究结果为改善后摩尔时代半导体器件的性能增加了希望。

IT之家了解到，这个研究成果最近发表在《自然电子学》(自然电子)上。本文第一作者是湖南大学物理与微电子学院博士生刘立婷，通讯作者是刘源教授。