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此前有报道称，TSMC正在筹集更多资金，以便从ASML购买更多具有更先进工艺的EUV光刻机，所有这些都是为新工艺做准备。
在不久前举行的一次在线活动中，欧洲微电子研究中心IMEC首席执行官兼总裁吕克范登霍夫在一次在线演讲中说，在与ASML的合作下，更先进的光刻机取得了进展。
吕克范登霍夫说，IMEC的目标是将下一代高分辨率EUV光刻和高na euv光刻商业化。随着光刻机的竞争对手纷纷退出市场，ASML现在拥有世界上主要的先进光刻机生产能力。近年来，IMEC一直在与ASML合作研究新的EUV光刻机，目前的目标是将加工规模缩小到1毫米或更小。
目前，ASML已经完成NXE:5000系列高NA EUV曝光系统的基础设计。至于设备的商业化。至少到2022年，直到TSMC和三星得到设备，这将是在2023年之前。
同时，TSMC对材料的研究也使得1纳米成为可能。台积电和交大联合研制出世界上最薄的厚度仅为0.7 nm的二维半导体绝缘体，有望进一步研制出厚度为2 nm甚至1 nm的晶体管沟道。
据报道，TSMC在2海里之后继续为先进工艺寻找土地，包括桥头客和鹿助，这些都是TSMC评估长期投资建厂的考虑因素。
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