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11月10日消息世界顶级半导体峰会之一的闪存峰会将于2020年11月10日在美国加州圣克拉拉会议中心举行。11月9日晚，美光公布了最新的第五代3D NAND闪存技术，拥有176个存储单元堆栈。
来源官方
新款176层闪存是美光与英特尔分手后开发的第二代产品，而上一代3D NAND则采用128层设计，被视为美光的过渡节点。目前三星的存储技术大大领先，但美光的128层3D NAND并不是特别高。另外，虽然升级到了176层，但还是落后于三星。
美光没有发布太多关于这项技术的信息。
176层NAND支持的接口速度为1600兆字节/秒，高于其96层和128层闪存的1200兆字节/秒。与96L与非门相比，读(写)延迟增加35%以上，与128L与非门相比，增加25%以上。与使用96L NAND的UFS 3.1模块相比，Micron芯片的整体混合工作负载提高了约15%。
美光表示，其176层3D NAND已经开始量产，并已在Infrida的部分消费类SSD产品中出货。
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