华虹半导体90纳米BCD工艺实现大批量生产:高性能、小核心面积

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华虹半导体90纳米BCD工艺实现大批量生产:高性能、小核心面积

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据JCNnewswire报道,华虹半导体近日宣布,其90nm BCD工艺已在华虹无锡12英寸生产线上量产,具有高性能、核心面积小的优势。

华虹半导体表示,其90纳米BCD工艺具有更好的电气参数,由于12英寸工艺的出色稳定性和产量,它为数字电源和数字音频放大器等芯片应用提供了更具竞争力的制造解决方案。

华虹半导体执行副总裁范亨表示:“智能硬件的种类和应用场景不断增多,对电源管理芯片的需求不断上升,对电源管理芯片的性能要求也在不断提高。”华虹半导体90纳米BCD工艺因其高性能指标和小芯片面积而受到许多客户的青睐。

IT House了解到,BCD(双极-CMOS-DMOS)技术是一种单片集成工艺技术,可以在同一芯片上制作双极、CMOS和DMOS器件。1985年由意法半导体公司首次开发。随着集成电路技术的进一步发展,BCD技术已经成为PIC的主流制造技术。

华虹半导体是全球领先的特种工艺纯晶圆代工企业,专注于嵌入式非易失性存储器、功率器件、模拟和电源管理、逻辑和射频等特种工艺平台。

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